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LED显示芯片的制造过程概述

文章来源:亚博电竞|电竞竞猜平台  作者:亚博电竞|电竞竞猜平台  发布日期:2020-05-15  浏览次数:597
总的来讲,LED建造流程分为两年夜部门:起首在衬低上建造氮化镓(GaN)基的晶圆,这个进程首要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。预备好建造GaN基晶圆所需的材料源和各类高纯的气体以后,依照工艺的要求便可以慢慢把外延片做好。经常使用的衬底首要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是操纵气相反映物(先驱物)和Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底概况进行反映,将所需的产品沉积在衬底概况。经由过程节制温度、压力、反映物浓度和种类比例,从而节制镀膜成份、晶相等质量。MOCVD外延炉是建造LED外延片最经常使用的装备。然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是建造LED芯片的要害工序,包罗清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,便可以获得所需的LED芯片。假如芯片清洗不敷清洁,蒸镀系统不正常,会致使蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落,金属层外不雅变色,金泡等异常。蒸镀进程中有时需用弹簧夹固定芯片,是以会发生夹痕(在目检必需挑除)。黄光功课内容包罗烘烤、上光阻、拍照暴光、显影等,若显影不完全和光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶粒在前段制程中,各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等功课都必需利用镊子和花篮、载具等,是以会有晶粒电极刮伤景象产生。


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